В НГУ представили проектное видение рентгеновского литографа «Орел-7» |
||
|
МЕНЮ Главная страница Поиск Регистрация на сайте Помощь проекту Архив новостей ТЕМЫ Новости ИИ Голосовой помощник Разработка ИИГородские сумасшедшие ИИ в медицине ИИ проекты Искусственные нейросети Искусственный интеллект Слежка за людьми Угроза ИИ Атаки на ИИ Внедрение ИИИИ теория Компьютерные науки Машинное обуч. (Ошибки) Машинное обучение Машинный перевод Нейронные сети начинающим Психология ИИ Реализация ИИ Реализация нейросетей Создание беспилотных авто Трезво про ИИ Философия ИИ Big data Работа разума и сознаниеМодель мозгаРобототехника, БПЛАТрансгуманизмОбработка текстаТеория эволюцииДополненная реальностьЖелезоКиберугрозыНаучный мирИТ индустрияРазработка ПОТеория информацииМатематикаЦифровая экономика
Генетические алгоритмы Капсульные нейросети Основы нейронных сетей Промпты. Генеративные запросы Распознавание лиц Распознавание образов Распознавание речи Творчество ИИ Техническое зрение Чат-боты Авторизация |
2026-02-26 14:37 В Новосибирском государственном университете на первой конференции-семинаре «Физические проблемы технологии рентгеновской литографии» ученые представили проектное видение создания отечественного опытного рентгеновского литографа «Орел-7». Уникальную установку мирового уровня предлагается создать как элемент инфраструктуры Центра коллективного пользования «Сибирский кольцевой источник фотонов» (СКИФ) и использовать для преодоления принципиальных технологических ограничений передовой микроэлектроники. Проект разрабатывается группой ученых Центра искусственного интеллекта НГУ, Института физики полупроводников СО РАН и Института вычислительной математики и математической геофизики СО РАН. Он предполагает создание специализированной рентгеновской станции на базе СКИФ – источника синхротронного излучения высокой интенсивности, необходимого для работы литографического оборудования нового типа. Литография является ключевой технологией производства микросхем: именно она задает топологию и размеры элементов на полупроводниковых пластинах. Современные решения основаны на использовании излучения с длиной волны 13,5 нанометра (EUV-литография). Однако дальнейшее повышение разрешающей способности возможно либо за счет принципиально новых подходов, либо при переходе в более коротковолновую область — в том числе в рентгеновский диапазон. Рентгеновская литография позволяет формировать сверхминиатюрные структуры благодаря использованию рентгеновского излучения на длинах волн от 1 до 100 ангстрем. Главным ее преимуществом является возможность создания рисунков без необходимости преодоления дифракционного предела, — это позволяет получать более высокое разрешение при сохранении производительности. Кроме того, технология может быть намного дешевле, чем сложные операции EUV-литографии на 13,5 нм, которые позволяют получать структуры с периодом 7 нм за счет экстремального повышения яркости (мощности) излучения и множественных операций со спейсерами, когда вместо одной операции «засветки»-удаления резиста используется до 4 последовательных нанесений резистов и спейсеров в каждом цикле (SAQP). Развитие микроэлектроники в ближайшие годы связано с переходом к ангстремным технологиям, где элементы создаются практически на атомарном уровне. По словам участников конференции, для качественного скачка необходимы прорывные решения и объединение усилий научных центров. — Мы видим, что Россия сегодня отстает от мировых лидеров в области микроэлектроники. Чтобы преодолеть это отставание, нужны проекты, основанные на принципиально новых идеях. Такие задачи невозможно решить силами одного института — требуется широкая кооперация. Именно о формировании такого консорциума и шла речь на конференции, – отметил директор Центра искусственного интеллекта НГУ Александр Люлько. По его словам, компетенции Центра ИИ НГУ в области создания цифровых двойников промышленного оборудования могут ускорить разработку литографа. Параллельно участники проекта намерены задействовать научный потенциал институтов СО РАН в области физики полупроводников и математического моделирования. Ожидается, что реализация проекта позволит отечественной промышленности перескочить технологический предел в 28 нанометров и значительно продвинуться в направлении создания суверенной технологии производства массовых российских процессоров топ-уровня. — Совместная работа должна привести к созданию оборудования, которое позволит российской микроэлектронике выйти далеко за предел 28 нанометров. Это критически важный рубеж для третьего перехода в микроэлектронике (первый переход — от видимого к глубокому ультрафиолетовому излучению, второй — к экстремальному ультрафиолетовому излучению), — подчеркнул один из авторов проекта, научный сотрудник Центра искусственного интеллекта НГУ и заведующий лабораторией Института физики полупроводников СО РАН Дмитрий Щеглов. Предполагается, что опытный образец литографа будет создан на базе СКИФ, где можно будет детально изучить физику процессов и отработать технологические параметры. Аналогичное оборудование планируется параллельно разворачивать на синхротроне в Зеленограде уже для целей отладки промышленного использования. Пока проект находится на начальной стадии. По итогам конференции участники сформировали научно-техническое видение целесообразности создания станции, обозначили ключевые проблемы и технологические барьеры, а также наметили основы будущего консорциума. Проект уже вызвал интерес не только у научных центров Москвы, Новосибирска и других городов страны, но и в микроэлектронном центре Минска. Источник: vk.com Комментарии: |
|