Китайские исследователи сделали ряд прорывных разработок в области полупроводников

Эти разработки охватывают такие ключевые области, как память, силовые полупроводники и проектирование интегральных схем.

Исследовательская группа из Национальной ключевой лаборатории технологии изготовления интегральных схем Института микроэлектроники Академии наук Китая (IME CAS) в сотрудничестве с Пекинской академией технологий памяти Superstring (SAMT) и Шаньдунским университетом предложила новую архитектуру ячейки памяти с двойным затвором 4F2 2T0C.

Используя процесс самоокисления металла на месте, технология позволяет самовыравнивать транзисторы чтения и записи в ячейку памяти 4F?. В сочетании с многоуровневыми технологиями хранения это может дополнительно увеличить плотность хранения.

Результаты испытаний показывают, что вертикальный транзистор с двумя затворами обеспечивает превосходный ток в открытом состоянии и подпороговый размах, а также высокую надёжность при испытаниях на термическую стабильность при температуре 85 °C, достигая значений ?22,6 мВ (NBTS) и 87,7 мВ (PBTS). Таким образом, транзистор сочетает в себе высокую производительность и стабильность. На основе этого устройства ячейка 4F? 2T0C поддерживает 4-битное многоуровневое хранение данных, обеспечивая время записи 50 нс и сохранность данных более 300 с, что демонстрирует высокий технологический потенциал.

Исследователи Школы микроэлектроники (Школы интегральных схем) Нанкинского университета науки и технологий предложила новый метод прогнозирования коммутационных потерь на основе многослойных искусственных нейронных сетей (ИНС) с обратным распространением ошибки.

Этот подход основан на регрессионных соотношениях между статическими параметрами полевых MOSFET-транзисторов на основе карбида кремния, такими как пороговое напряжение, ток утечки и сопротивление в открытом состоянии, и потерями при переключении. Подход предполагает, что поведение транзистора определяется в основном соотношением уровня легирования и толщины канального и барьерного слоёв. Без необходимости в сложном физическом моделировании или извлечении параметров можно быстро и точно спрогнозировать потери при переключении, используя только измеренные данные или статические параметры из технических описаний.

Подробнее: https://russianelectronics.ru/kitajskie-issledovateli-sdelali-ryad-proryvnyh-razrabotok-v-oblasti-poluprovodnikov/

Новости электроники| В МАХ: https://max.ru/electronics_news| В Telegram: https://t.me/electronics_news1|

Источник: t.me

Комментарии: