Российские ученые получили материалы для создания элементов памяти будущего

Ученые из Новосибирского государственного университета создали новые материалы из кремний-германиевых стекол, которые могут стать основой для памяти будущего. Эти материалы предназначены для так называемых мемристоров — элементов памяти нового поколения, которые по многим параметрам лучше современной флеш-памяти, используемой в телефонах, компьютерах и USB-накопителях.

Мемристоры могут выдерживать гораздо больше циклов записи и стирания данных, хранить больше информации и работать быстрее, чем флеш-память. Если флеш-память уже достигла своего предела и не может стать лучше, то мемристоры открывают совершенно новые возможности для хранения данных. Это значит, что устройства с такой памятью будут надежнее, долговечнее и эффективнее.

Команда НГУ стала первой в мире, кто обнаружил особый «эффект памяти» в кремний-германиевых стеклах и изучила их свойства, связанные с электричеством и светом. В будущем ученые планируют продолжить исследования, чтобы найти лучшие настройки для мемристоров, не создавая при этом их физические модели.

Источник: НГУ

Источник: vk.com

Комментарии: