В ЛЭТИ построили математическую модель мемристора |
||
МЕНЮ Главная страница Поиск Регистрация на сайте Помощь проекту Архив новостей ТЕМЫ Новости ИИ Голосовой помощник Разработка ИИГородские сумасшедшие ИИ в медицине ИИ проекты Искусственные нейросети Искусственный интеллект Слежка за людьми Угроза ИИ ИИ теория Внедрение ИИКомпьютерные науки Машинное обуч. (Ошибки) Машинное обучение Машинный перевод Нейронные сети начинающим Психология ИИ Реализация ИИ Реализация нейросетей Создание беспилотных авто Трезво про ИИ Философия ИИ Big data Работа разума и сознаниеМодель мозгаРобототехника, БПЛАТрансгуманизмОбработка текстаТеория эволюцииДополненная реальностьЖелезоКиберугрозыНаучный мирИТ индустрияРазработка ПОТеория информацииМатематикаЦифровая экономика
Генетические алгоритмы Капсульные нейросети Основы нейронных сетей Распознавание лиц Распознавание образов Распознавание речи Творчество ИИ Техническое зрение Чат-боты Авторизация |
2022-07-01 17:18 Ученые ЛЭТИ взяли серийно выпускаемый мемристор, производства США, и провели более сотни измерений работы этого полупроводникового прибора, собрав вольт-амперные характеристики, данные об эффекте квантования проводимости и т.п. Собранные данные позволили создать достаточно точную математическую модель устройства, а затем ее настроить с тем, чтобы цифровая модель максимально отражала работу реального устройства. Пришлось, в частности, добавить в модель генератор "шума", что позволило воспроизводить межциклическую вариативность резистивных переключений, что связано с реорганизацией проводящего канала внутри того нанометрового устройства. Напомню, что мемристор - это полупроводниковый компонент, который может хранить не только крайние состояния 0 или 1, но также и промежуточные. Сопротивление мемристора меняется в зависимости от количества заряда, который прошел через него. Закрывается мемристор при смене полярности, а высокое напряжение его открывает. Для экспериментов было взят мемристор, представляющий из себя многослойную гетероструктуру на основе халькогенидного стекла с примесью вольфрама в активном слое: (<W/Ge2Se3/Ag/Ge2Se3/SnSe/Ge2Se3/Ge2Se3+W/Ge2Se3/W>). Зачем нужна точная цифровая модель мемристора? Дело в том, что считается, что эти электронные компоненты могут стать основной для построения так называемых нейроморфных компьютеров ближайшего будущего. Экспериментировать с цифровыми моделями получается намного быстрее и эффективнее, чем проводить натурные эксперименты с полупроводниковыми наноструктурами. Как ожидается, это повысит точность проектирования нейроморфных чипов на основе мемристоров. Как всегда хотелось бы спросить — а где это можно будет произвести? Так что закончу именно этим вопросом. пресс-релиз ЛЭТИ Источник: m.vk.com Комментарии: |
|