В ЛЭТИ построили математическую модель мемристора

МЕНЮ


Главная страница
Поиск
Регистрация на сайте
Помощь проекту
Архив новостей

ТЕМЫ


Новости ИИРазработка ИИВнедрение ИИРабота разума и сознаниеМодель мозгаРобототехника, БПЛАТрансгуманизмОбработка текстаТеория эволюцииДополненная реальностьЖелезоКиберугрозыНаучный мирИТ индустрияРазработка ПОТеория информацииМатематикаЦифровая экономика

Авторизация



RSS


RSS новости


Ученые ЛЭТИ взяли серийно выпускаемый мемристор, производства США, и провели более сотни измерений работы этого полупроводникового прибора, собрав вольт-амперные характеристики, данные об эффекте квантования проводимости и т.п.

Собранные данные позволили создать достаточно точную математическую модель устройства, а затем ее настроить с тем, чтобы цифровая модель максимально отражала работу реального устройства. Пришлось, в частности, добавить в модель генератор "шума", что позволило воспроизводить межциклическую вариативность резистивных переключений, что связано с реорганизацией проводящего канала внутри того нанометрового устройства.

Валерий Островский

Напомню, что мемристор - это полупроводниковый компонент, который может хранить не только крайние состояния 0 или 1, но также и промежуточные. Сопротивление мемристора меняется в зависимости от количества заряда, который прошел через него. Закрывается мемристор при смене полярности, а высокое напряжение его открывает.

Для экспериментов было взят мемристор, представляющий из себя многослойную гетероструктуру на основе халькогенидного стекла с примесью вольфрама в активном слое: (<W/Ge2Se3/Ag/Ge2Se3/SnSe/Ge2Se3/Ge2Se3+W/Ge2Se3/W>).

Зачем нужна точная цифровая модель мемристора?

Дело в том, что считается, что эти электронные компоненты могут стать основной для построения так называемых нейроморфных компьютеров ближайшего будущего. Экспериментировать с цифровыми моделями получается намного быстрее и эффективнее, чем проводить натурные эксперименты с полупроводниковыми наноструктурами. Как ожидается, это повысит точность проектирования нейроморфных чипов на основе мемристоров.

Как всегда хотелось бы спросить — а где это можно будет произвести? Так что закончу именно этим вопросом.

пресс-релиз ЛЭТИ


Источник: m.vk.com

Комментарии: