Компания Samsung объявила о разработке первого модуля памяти DDR5-7200 емкостью 512 ГБ. Компания построила свой модуль памяти DDR5-7200 на базе чипов, которые связаны между собой по технологии TSV (сквозное кремниевое соединение). Это значительное улучшение по сравнению с DDR4. Используя методы работы с тонкими пластинами, Samsung смогла уменьшить зазоры между матрицами на 40%, что позволило уменьшить высоту стека.
реклама
Модуль памяти DDR5-7200 работает при напряжении 1,1 В, что меньше, чем напряжение DDR4. Повышение энергоэффективности стало возможным благодаря высокоэффективному управлению питанием (PMIC), регулятору напряжения и технологии затвора High-K Metal. Samsung заявила, что ее PMIC не только способствует снижению напряжения, но и снижает уровень шума. Как и ожидалось, модуль памяти Samsung имеет встроенный код исправления ошибок (ODECC) для обеспечения более надежной и безопасной обработки данных.
анонсы и реклама
Самая дешевая 3060 - на сегодня это за копейки
RX 6600XT Gigabyte в продаже - смотри цену
8 видов 3070 и 3070 Ti в Ситилинке - смотри цены
Недорогая 3080 Asus Gaming - по старой цене
20 видов RTX 3080 и 3080 Ti в Ситилинке - дефицит кончился
3090 в XPERT.RU
12Tb Toshiba: Регард скинул цену в полтора раза
<b>RTX 3060 Ti не дорого</b> в XPERT.RU
Модуль памяти DDR5 512 ГБ от Samsung впечатляет своим объемом, но его основное предназначение - это центры обработки данных и серверы. Потребительская память DDR5, скорее всего получит модули объемом до 64 ГБ. Если раньше можно было поставить в систему максимум 128 ГБ оперативной памяти, то теперь это значение увеличивается до внушительных 256 ГБ, что ранее было доступно только в серверах.
Samsung ожидает, что массовое производство модулей памяти DDR4-7200 512 ГБ начнется к концу текущего года. Компания считает, что массовый переход на стандарт DDR5 состоится не раньше 2023 или 2024 года.
Начислено вознаграждение
Этот материал написан посетителем сайта, и за него начислено вознаграждение.