Samsung представила модули оперативной памяти DDR5 на 512 ГБ c частотой 7,2 ГГц

Для её производства применяют техпроцесс HKMG, который используется для GDDR6.

Samsung анонсировала модули оперативной памяти стандарта DDR5 для использования в дата-центрах и суперкомпьютерах.

Объём одного модуля может достигать 512 ГБ. Для достижения такого объёма Samsung использует по 20 8-слойных чипов с каждой стороны модуля. Подобную технологию компания применяет с 2014 года, когда были впервые представлены серверные модули DDR4 на 256 ГБ.

Благодаря использованию DDR5 и техпроцесса High-K Metal Gate (HKMG) новая память на 13% более энергоэффективна и достигает частоты 7,2 ГГц, что как минимум вдвое быстрее большинства модулей DDR4. Это не предельная скорость для DDR5 — технология позволяет создавать модули с частотой до 8,4 ГГц (или скорости 8,4 Гбит/с на контакт).

Промышленные модули Samsung предназначены для использования в наиболее требовательных сферах применения: разработке искусственного интеллекта, машинного обучения, дата-центрах для облачных вычислений, центрах управления «умными» городами и предприятиями тяжёлой промышленности и суперкомпьютерах.

Одними из первых поддержку такой оперативной памяти получат процессоры Intel Xeon поколения Saphire Rapids — инженеры Intel напрямую сотрудничали с Samsung при разработке модулей DDR5.

В потребительском сегменте DDR5 начнёт появляться уже в ближайшем будущем — в конце 2021-го или начале 2022 года.

Источник: dtf.ru

Комментарии: