МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ ПАМЯТЬ (MRAM)

Учёные, работающие на кафедре магнетизма физического факультета МГУ, стоят у истоков развития сравнительно молодой области науки, которая называется спинтроникой. Если в классической электронике для переноса информации используется такая фундаментальная характеристика электрона как его заряд, то в спинтронике помимо заряда используется также его спин. Учёт спина позволил произвести настоящую революцию в области магнитной записи в конце XX века, что привело к значительному увеличению плотности записи, а также к существенной миниатюризации хранилищ информации, основанных на магнитной записи, в частности, всем известных жёстких дисков (Hard Disc Drives или HDD).

Одним из важных результатов исследований в области спинтроники уже в XXI веке является появление магниторезистивной памяти произвольного доступа (Magnetoresistive Random-Access Memory или MRAM).

В начале 2010-х годов первое поколение MRAM (STT-MRAM), основанное на эффекте переноса спинового вращательного момента (Spin Transfer Torque или STT), стало коммерчески доступным и её ёмкость составляла всего 16 Мб.

В 2019 году коммерчески доступным стало третье поколение STT-MRAM того же производителя, но уже с ёмкостью 1 Гб. На сегодняшний день ведутся активные разработки новых типов MRAM, которые способны ещё больше расширить области их применения за счёт устранения недостатков STT-MRAM.

Одной из таких разработок является SOT-MRAM, в основе которой лежит эффект спин-орбитального вращательного момента (Spin Orbit Torque или SOT). Открытие спин-орбитального вращательного момента напрямую связано с активными исследованиями спинового эффекта Холла (Spin Hall Effect или SHE), которые имели место в последнее десятилетие.

Учёными кафедры магнетизма совместно с коллегами из лаборатории SPINTEC (г. Гренобль, Франция) активно ведутся как фундаментальные, так и прикладные исследования, связанные с дальнейшим улучшением характеристик магнитной памяти MRAM. Лаборатория SPINTEC с удовольствием берёт выпускников кафедры на открытые программы PhD и Post-Doc.

Комментарии: