Впервые определена геометрия электрона |
||
МЕНЮ Искусственный интеллект Поиск Регистрация на сайте Помощь проекту ТЕМЫ Новости ИИ Искусственный интеллект Разработка ИИГолосовой помощник Городские сумасшедшие ИИ в медицине ИИ проекты Искусственные нейросети Слежка за людьми Угроза ИИ ИИ теория Внедрение ИИКомпьютерные науки Машинное обуч. (Ошибки) Машинное обучение Машинный перевод Реализация ИИ Реализация нейросетей Создание беспилотных авто Трезво про ИИ Философия ИИ Big data Работа разума и сознаниеМодель мозгаРобототехника, БПЛАТрансгуманизмОбработка текстаТеория эволюцииДополненная реальностьЖелезоКиберугрозыНаучный мирИТ индустрияРазработка ПОТеория информацииМатематикаЦифровая экономика
Генетические алгоритмы Капсульные нейросети Основы нейронных сетей Распознавание лиц Распознавание образов Распознавание речи Техническое зрение Чат-боты Авторизация |
2019-05-26 18:30 Физики из университета Базеля продемонстрировали впервые вид одиночного электрона в искусственном атоме. Новый метод, который они разработали, позволил им показать вероятность электрона в текущем пространстве. Это стало способным благодаря улучшенному методу контроля спинов электрона, который должен исполнить роль малейшей единицы информации в будущих квантовых вычислениях. Эксперимент был обнародвана в Physical Review Letter и в качестве соответствующей теории в Physical Review B. Спин электрона один из весомых кандидатов для использования в качестве кубита квантового компьютера. Использование и переключение спина вместе с другими спинами – проблема, над которой трудится множество исследовательских групп по всему миру. Стабильность спина и запутанности множества спинов зависит, помимо прочих вещей, от геометрии самих электронов – что до сих пор определить было весьма сложно. Возможность в искусственных атомах Ученые в командах, возглавляемых профессорами Домиником Цумбюлем и Даниэлем Лоссом из физического факультета швейцарского Института нанонаук в Университете Базеля, в настоящее время разработали метод, с помощью которого они могут определять геометрию электронов в пространстве с помощью квантовых точек. Квантовая точка - это потенциальная ловушка, которая способна удерживать свободные электроны в областях, которые примерно в 1000 раз больше размеров обычного атома. Поскольку захваченные электроны ведут себя подобно электронам, связанным с атомом, квантовые точки также известны как «искусственные атомы». Электрон удерживается в квантовой точке электрическими полями. Тем не менее, он движется в пространстве с различными вероятностями, соответствующими волновой функции, и остается в определенных местах пределах квантовой точки. Распределение заряда проливает свет Ученые использовали спектроскопические измерения, чтобы определить уровни энергии в квантовой точке и изучить поведение этих уровней в магнитных полях различной силы и ориентации. Основываясь на их теоретической модели, можно определить плотность вероятности электрона и, следовательно, его волновую функцию с точностью до субнанометровой шкалы. «Проще говоря, мы можем использовать этот метод, чтобы показать, как выглядит электрон», - объясняет Лосс. Лучшее понимание и оптимизация Исследователи, которые принимали участие в исследовании в тесном сотрудничестве с коллегами в Японии, Словакии и США, лучше смогли понимать корреляцию между геометрией электронов и спином электрона, который должен быть стабильным как можно дольше и быстро при этом переключаться для использования в качестве кубит. «Мы можем не только отобразить форму и ориентацию электрона, но и контролировать волновую функцию в соответствии с конфигурацией приложенных электрических полей. Это дает нам возможность оптимизировать управление спинами очень целенаправленным образом», сообщил Цумбюль. Пространственная ориентация электронов также играет роль в запутывании нескольких спинов. Подобно связыванию двух атомов с молекулой, волновые функции двух электронов должны лежать в одной плоскости для успешного запутывания. С помощью разработанного метода более ранние исследования могут быть лучше проанализированы, а производительность спиновых кубитов может быть дополнительно оптимизирована в будущем. Оригинал статьи прикреплен к записи. Пояснения к изображениям: Рисунок 1. (а) скетч установки с гейтами. (b) трехуровневая схема импульсов. (с) зависимость глубины импульса (эВ) от туннельного гейта (кГц). (d) основное состояние волновой функции (слева) для p-орбиталей. Рисунок 2. (а) орбитальное возбуждение энергий Ex (зеленый), Ey (фиолетовый) как функции от объема. (b) аналогично для x^ и (c) y^. Источник: www.sciencedaily.com Комментарии: |
|