Искусственный синапс, способный к автономному обучению |
||
МЕНЮ Искусственный интеллект Поиск Регистрация на сайте Помощь проекту ТЕМЫ Новости ИИ Искусственный интеллект Разработка ИИГолосовой помощник Городские сумасшедшие ИИ в медицине ИИ проекты Искусственные нейросети Слежка за людьми Угроза ИИ ИИ теория Внедрение ИИКомпьютерные науки Машинное обуч. (Ошибки) Машинное обучение Машинный перевод Реализация ИИ Реализация нейросетей Создание беспилотных авто Трезво про ИИ Философия ИИ Big data Работа разума и сознаниеМодель мозгаРобототехника, БПЛАТрансгуманизмОбработка текстаТеория эволюцииДополненная реальностьЖелезоКиберугрозыНаучный мирИТ индустрияРазработка ПОТеория информацииМатематикаЦифровая экономика
Генетические алгоритмы Капсульные нейросети Основы нейронных сетей Распознавание лиц Распознавание образов Распознавание речи Техническое зрение Чат-боты Авторизация |
2017-05-01 13:29 Исследователи из Франции и университета Арканзаса создали компонент искусственного интеллекта — искусственный синапс, который оказался способным к автономному обучению. Это событие открывает двери к построению больших сетей, которые работают подобно мозгу человека. Результаты опубликованы в журнале Nature Communications. Эскиз пред- и постнейронов, соединённых синапсом. Источник: Nature Communications
Мозг работает благодаря синапсам, обеспечивающим связь между нейронами. Соединения различаются по силе, и сильная связь коррелирует с мощной памятью и улучшенным обучением. Это понятие называется синаптической пластичностью, и исследователи рассматривают его как модель для развития машинного обучения. Команда французских учёных спроектировали и построили искусственный синапс – мемристор, изготовленный из сверхтонких ферроэлектрических туннельных соединений. Его можно настроить так, чтобы он проводил импульсы напряжения. Материал, зажатый между электродами, определяет изменения в проводимости, чтобы понять, какова связь между электродами – сильная или слабая. Мемристоры – не новая технология, но до сих пор их принципы работы не были поняты до конца. Исследование даёт чёткое объяснение физического механизма, лежащего в основе искусственных синапсов. Учёные Университета Арканзаса провели компьютерное моделирование, благодаря которому и прояснили механизм переключения в ферроэлектрических туннельных переходах. Текст: Любовь Пушкарская Источник: neuronovosti.ru Комментарии: |
|