Чипы класса «алмаз на кремнии» могут работать на частоте 100 ГГц

Чипы класса «алмаз на кремнии» могут работать на частоте 100 ГГц.

Многие скептики говорят о скором достижении кремниевой электроникой теоретического предела производительности и декларируют необходимость перехода на оптронные технологии. Однако есть и ещё один путь: компания Akhan Semiconductor продемонстрировала принципиально новые микросхемы, использующие техпроцесс типа «алмаз на кремнии». Речь пока идёт о сотнях нанометров и использовании 12-дюймовых пластин, но потенциальные частотные и электрические характеристики производят огромное впечатление.

Одна только предельная частота 100 ГГц заставляет задуматься о том, а так ли уж правы скептики. Да и с охлаждением проблем будет гораздо меньше, поскольку алмаз является одним из лучших проводников тепла в природе. Пока что начато опытное производство на собственной мини-фабрике, но компания надеется развернуть массовое производство таких чипов позднее. Другая цель Akhan Semiconductor - застолбить себе участок в сфере квантовых компьютеров и микромеханических устройств; в последнем случае у неё уже имеются клиенты. В частности, речь идёт о ёмкостных переключаемых массивов для динамической подстройки антенных характеристик в дорогих смартфонах.

Алмазные элементы компания получает из метана с использованием плазменных технологий, для этого используется специальный реактор, носящий название MPCVD. Финальным продуктом является алмазная подложка, которую можно использовать для производства различных полупроводниковых схем. При этом расходуется на 20 % меньше чистой воды, нежели в традиционных технологических процессах. Помимо огромного частотного потенциала, впечатляет и электрический: будучи прекрасным изолятором, алмаз позволяет создавать микроскопические устройства, способные работать с напряжением 10 киловольт. Аналогичный кремниевый чип потребовал бы в 50 раз больше материала. Похоже, алмаз является идеальной заменой кремнию и именно он станет следующей ступенью для дальнейшего прогресса в области полупроводниковой электроники.

Источник: www.3dnews.ru

Комментарии: