Диоксид гафния продлит действие закона Мура |
||
МЕНЮ Главная страница Поиск Регистрация на сайте Помощь проекту Архив новостей ТЕМЫ Новости ИИ Голосовой помощник Разработка ИИГородские сумасшедшие ИИ в медицине ИИ проекты Искусственные нейросети Искусственный интеллект Слежка за людьми Угроза ИИ ИИ теория Внедрение ИИКомпьютерные науки Машинное обуч. (Ошибки) Машинное обучение Машинный перевод Нейронные сети начинающим Психология ИИ Реализация ИИ Реализация нейросетей Создание беспилотных авто Трезво про ИИ Философия ИИ Big data Работа разума и сознаниеМодель мозгаРобототехника, БПЛАТрансгуманизмОбработка текстаТеория эволюцииДополненная реальностьЖелезоКиберугрозыНаучный мирИТ индустрияРазработка ПОТеория информацииМатематикаЦифровая экономика
Генетические алгоритмы Капсульные нейросети Основы нейронных сетей Распознавание лиц Распознавание образов Распознавание речи Творчество ИИ Техническое зрение Чат-боты Авторизация |
2021-06-06 13:20 Использование диселенида и диоксида гафния может позволить сделать кремниевые транзисторы в десять раз меньше, чем существующие рекордные показатели. Таким образом ученые из Стэнфордского университета надеются продлить действие закона Мура еще как минимум на несколько лет. Исследование опубликовано в журнале Science Advances. Существует эмпирическое наблюдение, называемое законом Мура, которое гласит, что каждые два года количество транзисторов на интегральных платах удваивается. Несмотря на то, что в разное время скорость повышения количества транзисторов разнилась, в целом этот закон действительно соблюдался в течение десятилетий. Однако, в последнее время разработчики чипов приближаются к физическим ограничениям. Совсем недавно IBM объявила о разработке пятинанометрового технологического процесса, а десятинанометровые процессоры уже можно встретить в серийно выпускаемых смартфонах. Это означает, что толщина кремниевых элементов уже измеряется десятками атомов и дальнейшая миниатюризация становится все сложнее. Кремний используется как основной материал в полупроводниковой промышленности из-за двух важных свойств. Во-первых, он обладает такой шириной запрещенной зоны, что транзисторы на его основе потребляют мало энергии, во-вторых, его оксид может служить изолятором, защищающим транзистор от утечки тока. Соответственно, при дальнейшем уменьшении толщины может возникать ток утечки, вызванный туннелированием зарядов через диэлектрик, и это является одним из основных препятствий на пути к дальнейшей миниатюризации микросхем. Американские ученые нашли способ продолжить миниатюризацию кремниевых транзисторов с помощью диселенидов гафния и циркония. Оказалось, что в отличие от кремния, если уменьшить толщину этих веществ до слоя из трех атомов, они все еще сохраняют хорошую ширину запрещенной зоны, а оксиды гафния и циркония служат гораздо более эффективным изолятором, чем оксид кремния. Исследователи создали несколько прототипов таких транзисторов. Несмотря на то, что основную роль в них играли новые материалы, ученым все равно пришлось использовать кремний в качестве подложки, и его оксид в качестве «буферного слоя», помогающего «сгладить» разницу между кристаллическим строением кремния и диселенидов. В прошлом году физики из Стэнфордского университета и других организаций смогли создать транзистор с рекордно малым размером затвора — около нанометра. Другие ученые решили использовать другой подход и создали миниатюрные транзисторы, работающие на фотоэффекте. Григорий Копиев Источник: nplus1.ru Комментарии: |
|