Компания Samsung объявила о выпуске третьего поколения чипов памяти стандарта HBM2E. Модуль Flashbolt ёмкостью 16 ГБ, по заверению вендора, обеспечивает рекордную для отрасли скорость передачи данных и предназначен для суперкомпьютеров, систем искусственного интеллекта и устройств, связанных с обработкой графики.
По данным Samsung, память Flashbolt обеспечивает скорость передачи данных до 3,2 Гбит/с на контакт. Модули ёмкостью 16 ГБ, выполненные по 10-нм технологическому процессу, размещаются на буферном чипе. Новинка в 1,75 раза быстрее своей предшественницы, 20-нм памяти Aquabolt ёмкостью 8 ГБ, представленной в 2018 году. Разработанная компанией электросхема позволяет обмениваться данными со скоростью до 410 ГБ/с на чип. Максимальная скорость при тестировании составила 4,2 Гбит/с или 538 ГБ/с на стек — для сравнения, рекорд прошлого поколения составлял 307 ГБ/с.
Начало массового производства новых модулей планируется в первой половине текущего года. Компания также продолжит продажи чипов памяти второго поколения и намеревается продвигать дальнейший переход производителей на HBM-решения.