Samsung представила микросхемы V-NAND плотностью 1 Тбит

МЕНЮ


Искусственный интеллект. Новости
Поиск
Регистрация на сайте
Сбор средств на аренду сервера для ai-news

ТЕМЫ


Новости ИИРазработка ИИВнедрение ИИРабота разума и сознаниеМодель мозгаРобототехника, БПЛАТрансгуманизмОбработка текстаТеория эволюцииДополненная реальностьЖелезоКиберугрозыНаучный мирИТ индустрияРазработка ПОТеория информацииМатематика

Авторизация



RSS


RSS новости

Новостная лента форума ailab.ru


2017-09-08 21:40

IoT

В июне этого года компания Samsung Electronics сообщила о начале серийного выпуска микросхем 64-слойной флэш-памяти V-NAND плотностью 256 Гбит, предназначенных для накопителей, используемых в серверах, ПК и мобильных устройствах.

На этой неделе Samsung Electronics анонсировала микросхемы V-NAND плотностью 1 Тбит, которые появятся в готовых продуктах в следующем году. Упаковывая 16 подобных микросхем в один корпус, производитель планирует выпускать модули флэш-памяти V-NAND объемом памяти 2 ТБ, совершив «одно из самых важных достижений в данной области за последнее десятилетие».

Впервые о флэш-памяти V-NAND подобной плотности Samsung говорила еще в 2013 году, а теперь компания практически реализовала свой план. Новая флэш-память должна удовлетворить постоянно растущий рыночный спрос на фоне появления новых решений в сегменте Интернета вещей и технологий искусственного интеллекта. По мнению представителей Samsung, быстрая флэш-память играет критически важную роль для получения информации и анализа данных в реальном времени.

Комментарии: