Искусственный синапс, способный к автономному обучению

МЕНЮ


Новости ИИ
Поиск

ТЕМЫ


Внедрение ИИНовости ИИРобототехника, БПЛАТрансгуманизмЛингвистика, рбработка текстаБиология, теория эволюцииВиртулаьная и дополненная реальностьЖелезоКиберугрозыНаучный мирИТ индустрияРазработка ПОТеория информации

АРХИВ


Июнь 2017
Май 2017
Апрель 2017
Март 2017
Февраль 2017
Январь 2017
Декабрь 2016
Ноябрь 2016
Октябрь 2016
Сентябрь 2016
Август 2016
Июль 2016
Июнь 2016
Май 2016
Апрель 2016
Март 2016
Февраль 2016
Январь 2016
0000

RSS


RSS новости
птичий грипп

Новостная лента форума ailab.ru

2017-05-01 13:29

нейропроцессор

Исследователи из Франции и университета Арканзаса создали компонент искусственного интеллекта — искусственный синапс, который оказался способным к автономному обучению. Это событие открывает двери к построению больших сетей, которые работают подобно мозгу человека. Результаты опубликованы в журнале Nature Communications.

синапс

Эскиз пред- и постнейронов, соединённых синапсом.

Источник: Nature Communications

«Люди заинтересованы в создании искусственного мозга в будущем. Это исследование — существенный шаг вперёд», — сказал Бинь Сю (Bin Xu), научный сотрудник кафедры физики университета Арканзаса.

Мозг работает благодаря синапсам, обеспечивающим связь между нейронами. Соединения различаются по силе, и сильная связь коррелирует с мощной памятью и улучшенным обучением. Это понятие называется синаптической пластичностью, и исследователи рассматривают его как модель для развития машинного обучения.

Команда французских учёных спроектировали и построили искусственный синапс – мемристор, изготовленный из сверхтонких ферроэлектрических туннельных соединений. Его можно настроить так, чтобы он проводил импульсы напряжения. Материал, зажатый между электродами, определяет изменения в проводимости, чтобы понять, какова связь между электродами – сильная или слабая.

Мемристоры – не новая технология, но до сих пор их принципы работы не были поняты до конца. Исследование даёт чёткое объяснение физического механизма, лежащего в основе искусственных синапсов. Учёные Университета Арканзаса провели компьютерное моделирование, благодаря которому и прояснили механизм переключения в ферроэлектрических туннельных переходах.

Текст: Любовь Пушкарская


Источник: neuronovosti.ru